第三代半导体将催生万亿元市场

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近日，第三届中欧第三代半导体峰会论坛在深圳举行。与会专家学者认为，第三代半导体未来应用潜力巨大，具有革命性突破力量，是半导体及下游电力电子和通信行业新一轮改革的突破口。

2018年，美国、欧盟等国家继续加大对第三代半导体领域研发的支持力度，国际制造商积极务实地推进。碳化硅(sic)和氮化镓(gan)功率电子器件的商业化新产品不断推出，性能日益提高，应用逐渐广泛。得益于整个半导体行业的积极因素，如有利的宏观政策、对资本市场的追求、本土的积极推动、企业的广泛进入，中国第三代半导体产业稳步发展。然而，在材料指标和器件性能方面，与国外先进水平仍有一定差距，急需国产化。

“无论从模块安全的角度还是从中国经济发展的情况来看，第三代半导体都有很大的发展空间和良好的市场前景，空已经催生了数万亿元的潜在市场。”深圳市科协党组书记林翔认为，第三代半导体是全球半导体行业技术创新和产业发展的热点，为信息、能源、交通模块等战略性新兴产业发展提供重要支撑。近年来，随着材料、器件、工艺和应用领域的一系列技术创新和突破，第三代半导体已经到达了从研发到产业化的转折点。

"只要有电，就会使用半导体."国家新能源汽车技术创新中心汽车规格半导体业务负责人虞雯指出，发展新能源汽车是中国汽车产业转型的必由之路，也将构建汽车新的产业生态链。未来，汽车半导体将成为全球半导体市场的最大驱动力。其中，碳化硅在新能源汽车领域的应用前景将随着技术的发展而大大提高。

“碳化硅的各种特性都比硅好。该装置具有频率高、效率高、温度高等优点，将来将广泛应用于白色家电、轨道交通和医疗设备等领域。”深圳市基础半导体有限公司总经理何伟伟表示，相关数据显示，2018年整个碳化硅功率器件的市场容量将达到5亿美元，未来市场容量的年复合增长率将超过30%。就中国碳化硅的发展现状而言，它一直紧跟国际前沿的第三代半导体材料，可提供衬底和外延产业化。在汽车应用的设计和制造方面，中国与国际先进水平仍有一定差距。几所大学可以生产器件样品，三四家公司可以大规模生产二极管。然而，目前只有基础半导体能够大规模生产碳化硅mosfet，希望铸造中国碳化硅的“核心”。(经济日报记者杨阳腾)